[发明专利]编程非易失性存储器的方法及存储器系统有效
| 申请号： | 201710826510.8 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109509503B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 古紹泓;林大卫;程政宪;李致维;蔡文哲 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种编程非易失性存储器的方法及一种存储器系统。非易失性存储器的多个存储单元的每一存储单元存储具有至少2位的数据。此方法包括以下步骤。提供至少一编程脉冲以编程多个存储单元的一目标存储单元。提供至少一编程验证脉冲以验证目标存储单元是否为编程成功。判断目标存储单元的阈值电压是否大于或等于编程验证电压。当目标存储单元的阈值电压大于或等于编程验证电压，设定目标存储单元为编程成功。接着，对编程成功的存储单元执行一再验证程序。再验证程序包括判断目标存储单元的阈值电压是否大于或等于一再验证电压。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 非易失性存储器 方法 存储器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种在编程期间编程非易失性存储器的方法，该非易失性存储器包括多个存储单元，部分这些存储单元的每一存储单元存储至少具有2位的数据，该方法包括：提供至少一编程脉冲以编程这些存储单元的一目标存储单元；施加至少一编程验证脉冲至该目标存储单元；在该目标存储单元的一阈值电压大于或等于一编程验证电压的情况下，设定该目标存储单元为编程成功；以及在该目标存储单元被设定为编程成功的情况下，对该目标存储单元执行一再验证操作，该再验证操作包括施加至少一再验证脉冲至该目标存储单元。
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