[发明专利]一种高介电常数低损耗SrTiO3基介质材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201710822729.0 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107500756A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 曹明贺;周兴兴;戚俊磊;刘韩星;郝华;尧中华 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/47 | 分类号： | C04B35/47;C04B35/622 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 乔宇,官群 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高介电常数低损耗SrTiO3基介质材料及其制备方法，所述介质材料结构式为SryMxTiO3，其中M选自Ce、Er、Sm、Dy中的一种，式中0.01≤x≤0.03，1‑1.8x≤y≤1‑1.2x，x+y<1。本发明在SrTiO3基介电材料的A位引入M离子，获得具有高介电常数、低损耗的SrTiO3基介质材料，在25～500℃的温度范围、1～1000kHz的频率下测得介电常数大于2000，介电损耗小于4.2％，且介电常数在较宽的频率和温度范围内变化很小，具有较好的温度和频率稳定性；另外，本发明制备工艺可控且简单，重复性优良，对于原料粒度及粒径无特殊要求，因此能极大地降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 损耗 srtio3 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高介电常数低损耗SrTiO3基介质材料，其特征在于：所述介质材料结构式为SryMxTiO3，其中M选自Ce、Er、Sm、Dy中的一种，式中0.01≤x≤0.03，1‑1.8x≤y≤1‑1.2x，x+y<1。
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