[发明专利]一种高介电常数低损耗SrTiO3基介质材料及其制备方法在审
申请号: | 201710822729.0 | 申请日: | 2017-09-13 |
公开(公告)号: | CN107500756A | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 曹明贺;周兴兴;戚俊磊;刘韩星;郝华;尧中华 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C04B35/47 | 分类号: | C04B35/47;C04B35/622 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人: | 乔宇,官群 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 介电常数 损耗 srtio3 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种高介电常数低损耗SrTiO3基介质材料,其特征在于:所述介质材料结构式为SryMxTiO3,其中M选自Ce、Er、Sm、Dy中的一种,式中0.01≤x≤0.03,1-1.8x≤y≤1-1.2x,x+y<1。
2.一种权利要求1所述的高介电常数低损耗SrTiO3基介质材料的制备方法,其特征在于:以SrCO3、M的氧化物、TiO2为原料,按化学计量比混合后球磨,烘干,进行预烧得到预烧粉体,随后再次球磨预烧粉体,将球磨后的预烧粉体加入粘结剂造粒过筛,成型,通过排胶得到介质材料坯体,最后把介质材料坯体在空气下进行烧结得到高介电常数低损耗SrTiO3基介质材料。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于所述SrCO3纯度≥99.0%,所述M的氧化物纯度≥99.0%,所述TiO2的纯度≥98.0%。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于所述球磨为湿式球磨,球磨过程中加入球磨介质及分散剂,所述球磨介质为锆球,所述分散剂为酒精,球磨时间为22~28小时。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于所述预烧工艺条件为:在空气气氛下于1100~1160℃加热2~3小时。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于所述粘结剂为PVA,粘结剂加入量为预烧粉体质量的5%。
7.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于所述排胶工艺条件为:以1℃/min的速率升温至600℃,保温2h,然后随炉冷却至室温。
8.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于所述烧结工艺条件为:室温下升温至100℃,升温时间为30min,随后升温至1000℃,升温时间为300min,再以2℃/min的速率升温至1480~1540℃并保温2.5~3.2小时,随后随炉冷却至室温。
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