[发明专利]一种功率器件的多DBC封装结构及封装方法

摘要

本发明公开了一种功率器件的多DBC封装结构及封装方法，其中，该封装结构包括功率器件、直接覆铜陶瓷基板(即DBC板)、引线、散热基板、解耦电容、功率端子和驱动端子以及外壳，这个封装结构形成由功率器件组成的半桥电路；本发明提供的这种封装结构及封装方法，利用DBC+DBC，形成多层结构，同时优化功率回路结构，利用互感抵消减小换流回路的寄生电感，减小了开关过程中的过电压和振荡。

主权项

1.一种功率器件的多DBC封装结构，其特征在于，包括：散热基板、底层DBC基板、贴装在所述底层DBC基板上的功率器件、焊接在所述底层DBC基板上的上层DBC基板；所述底层DBC基板分为三个相同的子底层DBC基板；所述散热基板是整块铜基板，增强散热；各子底层DBC基板分别焊接在散热基板的对应位置上，各子底层DBC基板均为三层结构，其中，上层与下层均为高导材料，中间层为绝缘传热材料；上层表面分为第一焊接面和第二焊接面，且第一焊接面和第二焊接面之间的间距大于功率器件的最大工作电压对应的电气绝缘距离；所述上层DBC基板分为三个相同的子上层DBC基板，分别焊接在对应的子底层DBC基板上，各子上层DBC基板均为三层结构，其中，上层与下层均为高导材料，中间层为绝缘传热材料；上层表面通过刻蚀方法得到需要的电路结构，且不同网络的高导材料之间的间距大于功率器件最大工作电压对应的电气绝缘距离；下层表面通过刻蚀方法得到需要的电路结构，且不同网络的高导材料之间的间距大于功率器件最大工作电压对应的电气绝缘距离；上层与下层之间通过通孔实现电气连接，所述功率器件在所述底层DBC基板上的贴装位置与所述上层DBC基板的窗口对应；所述功率器件的电极与所述上层DBC基板之间通过引线键合实现电气连接；所述上层DBC基板的上下铜箔通过通孔实现电气连接；所述底层DBC基板与所述上层DBC基板通过焊料实现电气连接。