[发明专利]一种二极管的制备工艺

摘要

本发明涉及一种二极管的制备工艺，该制备工艺包括硅片P+、N+面表面涂覆光阻胶、去胶冲洗、再次涂覆光阻胶、烘干、冷却、曝光显影、自动检测、划片、酸腐蚀、去除光阻胶、再次镀镍、碱洗、上胶、胶固化、模压、后固化、电镀等工序。本发明的优点在于本发明二极管的制备工艺，通过在硅片的图形化处理前对采用的硅片进行清洗，并在过程中严格的控制清洗温度和PH值，去除硅片在加工过程中带入的杂质污染物，并确保经过清洗后的硅片不会影响后续的上胶处理，降低掉胶率，以便在检测过程中尽量发现问题，避免漏检流入下道工序后影响合格率，采用本发明的方法可将产品良品率提高5%左右，大大降低了资源的浪费和生产成本。

主权项

一种二极管的制备工艺，其特征在于：所述制备工艺包括如下步骤：（1）在硅片P+、N+面完成镀镍后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻胶；（2）将步骤（1）中涂覆光阻胶的硅片进行去胶处理，然后用水作为冲洗液进行冲洗，在冲洗时，控制冲洗液的PH值在6～8之间，冲洗液温度在16～20℃，冲洗持续8～12min；冲洗完成后再通过离心甩干6～8min；（3）将清洗好的硅片在100～120℃的条件下烘烤50～70s，再降温至18～22℃进行冷却，冷却24～36s；（4）冷却后的硅片的N+面进行曝光，曝光部分的硅片用显影液腐蚀，处理得图形化硅片，并去除图形间隙处光阻胶；（5）通过自动检测仪对步骤（4）中图形化硅片进行自动检测，有掉胶的被分拣出，没有掉胶缺陷的进入下一工序；（6）利用硅片N+面的图形间隙作为划片下刀参考线进行划片，形成单个芯片；（7）对芯片台面进行酸腐蚀，去除划片过程中对芯片造成的损伤，然后去除表面的光阻胶，再次镀镍；（8）将芯片的P+、N+面分别通过焊料焊接引线，然后经碱洗、梳条后进行上胶、胶固化、模压、后固化、电镀，最后经测试合格后印字、包装。