[发明专利]一种二极管的制备工艺

权利要求书

1.一种二极管的制备工艺，其特征在于：所述制备工艺包括如下步骤：

（1）在硅片P+、N+面完成镀镍后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻胶；

（2）将步骤（1）中涂覆光阻胶的硅片进行去胶处理，然后用水作为冲洗液进行冲洗，在冲洗时，控制冲洗液的PH值在6～8之间，冲洗液温度在16～20℃，冲洗持续8～12min；冲洗完成后再通过离心甩干6～8min；

（3）将清洗好的硅片在100～120℃的条件下烘烤50～70s，再降温至18～22℃进行冷却，冷却24～36s；

（4）冷却后的硅片的N+面进行曝光，曝光部分的硅片用显影液腐蚀，处理得图形化硅片，并去除图形间隙处光阻胶；

（5）通过自动检测仪对步骤（4）中图形化硅片进行自动检测，有掉胶的被分拣出，没有掉胶缺陷的进入下一工序；

（6）利用硅片N+面的图形间隙作为划片下刀参考线进行划片，形成单个芯片；

（7）对芯片台面进行酸腐蚀，去除划片过程中对芯片造成的损伤，然后去除表面的光阻胶，再次镀镍；

（8）将芯片的P+、N+面分别通过焊料焊接引线，然后经碱洗、梳条后进行上胶、胶固化、模压、后固化、电镀，最后经测试合格后印字、包装。

2.根据权利要求1所述的二极管的制备工艺，其特征在于：所述步骤（7）中芯片台面进行酸腐蚀，采用HNO₃-HF-H₃PO₄混合酸，腐蚀时间为180-200S，酸温控制在6-10℃。

3.根据权利要求1所述的二极管的制备工艺，其特征在于：所述步骤（8）中的碱洗采用质量浓度为3-5%的KOH溶液，碱洗80-100S，碱液温度控制在70-80℃。