[发明专利]晶圆级超声波芯片规模制造及封装方法有效
| 申请号： | 201710803335.0 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN109472182B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 金玉丰;马盛林;赵前程;刘欢;邱奕翔 | 申请（专利权）人： | 茂丞科技(深圳)有限公司;北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种超声波模块及其制造方法，该超声波模块包含基底、复合层、以及覆盖层。基底具有上表面。复合层具有顶面、底面及内陷于底面的内凹面。底面位于基底的上表面上，内凹面与上表面之间形成至少一空间。复合层具有至少一第一沟槽，第一沟槽由顶面朝内凹面延伸。第一沟槽将复合层区隔为电路结构与连接电路结构的超声波结构。覆盖层结合复合层的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 超声波 芯片 规模 制造 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超声波模块，其特征在于，包括：一基底，具有一上表面以及相对于该上表面的一下表面；一复合层，具有一顶面、一底面及内陷于该底面的一内凹面，该底面位于该基底的该上表面上，该内凹面与该上表面之间形成至少一空间，该复合层具有至少一第一沟槽，该第一沟槽由该顶面朝该内凹面延伸，且该第一沟槽将该复合层区隔为一电路结构与连接该电路结构的一超声波结构，该超声波结构对应于该内凹面；以及一覆盖层，结合该复合层的该顶面。
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