[发明专利]晶圆级超声波芯片规模制造及封装方法

权利要求书

1.一种超声波模块，其特征在于，包括：

一基底，具有一上表面以及相对于该上表面的一下表面；

一复合层，具有一顶面、一底面及内陷于该底面的一内凹面，该底面位于该基底的该上表面上，该内凹面与该上表面之间形成至少一空间，该复合层具有至少一第一沟槽，该第一沟槽由该顶面朝该内凹面延伸，且该第一沟槽将该复合层区隔为一电路结构与连接该电路结构的一超声波结构，该超声波结构对应于该内凹面；以及

一覆盖层，结合该复合层的该顶面。

2.如权利要求1所述的超声波模块，其特征在于，该复合层包括至少一光感测组件，该至少一光感测组件位于该电路结构的下方或该超声波结构的下方。

3.如权利要求2所述的超声波模块，其特征在于，还包括至少一滤光层，其中该滤光层位于该复合层的该顶面上且对应该至少一光感测组件。

4.如权利要求1所述的超声波模块，其特征在于，其中该第一沟槽连通该至少一空间，该超声波结构位于该至少一空间上且悬浮连接于该电路结构，于该基底的垂直投影方向上该超声波结构的投影与该至少一空间的投影重迭。

5.如权利要求1所述的超声波模块，其特征在于，该超声波结构包括复数个超声波组件，该内凹面与该上表面之间形成的该至少一空间为复数个，该超声波结构位于该些空间上且各该空间对应各该超声波组件。

6.如权利要求4所述的超声波模块，其特征在于，该超声波结构包括复数个超声波组件，且该复合层还包括至少一个第二沟槽，该至少一第二沟槽位于该超声波结构内且由该顶面朝该内凹面延伸以连通该空间，且该至少一第二沟槽区隔至少两相邻的该超声波组件。

7.如权利要求1所述的超声波模块，其特征在于，还包括一黏着层，该黏着层位于该覆盖层与该复合层之间，且该覆盖层透过该黏着层结合该复合层的该顶面。

8.如权利要求1所述的超声波模块，其特征在于，该电路结构包括一连接垫，该连接垫暴露于该复合层的一侧表面，该超声波模块包括一导体层及一接垫，该导体层位于该复合层的该侧表面且延伸至该基底的该下表面，该接垫位于该下表面，该导体层电性连接该连接垫及该接垫。

9.如权利要求1所述的超声波模块，其特征在于，该复合层包括复数个超声波组件，呈二维数组排列，各该超声波组件包括：

一第一压电层；

一第二压电层，位于该第一压电层上，该第二压电层具有一接触孔；

一第一电极，位于该第一压电层和该第二压电层之间，该接触孔暴露出部分的该第一电极；

一第二电极，位于该第二压电层上且透过该接触孔接触该第一电极；以及

一第三电极，位于该第二压电层上。

10.一种超声波模块的制造方法，其特征在于，包括：

形成一电路层于一第一基板上，其中该电路层位于该第一基板的上表面，该电路层包括一电路区、一超声波区及至少一第一移除结构，该第一移除结构暴露于该电路层的上表面且由该电路层的上表面朝该电路层的下表面延伸，该超声波区周围的一部分被该第一移除结构围绕且该超声波区周围的另一部分与该电路区连接；

形成一图案化保护层覆盖部分的该电路层的上表面，且未覆盖暴露于该电路层的上表面的该第一移除结构；

去除该第一移除结构，以形成一第一上部沟槽；

由该第一上部沟槽内的该第一基板的上表面往该第一基板的下表面去除部分的该第一基板，以形成连通该第一上部沟槽的一第一下部沟槽；

由该第一基板的下表面往该第一基板的上表面去除对应该超声波区的至少一部分该第一基板，以使该第一基板的下表面具有对应于该超声波区的至少一内凹面；

形成一基底于该第一基板的下表面，以使该内凹面与该基底的一上表面之间形成至少一空间；以及

结合一覆盖层于该电路层的上表面。