[发明专利]阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710801908.6 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109473546B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 吴华强;吴威;高滨;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 361022 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括：第一电极、第二电极、位于所述第一电极和所述第二电极之间的阻变层、至少一层储热层，所述储热层与所述阻变层相邻，所述储热层的热导率小于所述第一电极和所述第二电极的热导率。该阻变存储器的电导在外加脉冲的条件下无论是增大的过程还是减小的过程，其电导都可以连续变化。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器，包括：第一电极；第二电极；阻变层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；以及至少一层储热层，所述储热层与所述阻变层相邻，所述储热层的热导率小于所述第一电极和所述第二电极的热导率。
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