[发明专利]阻变存储器及其制备方法

说明书

一种阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括：第一电极、第二电极、位于所述第一电极和所述第二电极之间的阻变层、至少一层储热层，所述储热层与所述阻变层相邻，所述储热层的热导率小于所述第一电极和所述第二电极的热导率。该阻变存储器的电导在外加脉冲的条件下无论是增大的过程还是减小的过程，其电导都可以连续变化。

技术领域

本公开的实施例涉及一种阻变存储器及其制备方法。

背景技术

阻变存储器是一种利用材料电阻值的变化来进行数据存储的器件。它的存储原理是某些薄膜材料具有不同的电阻状态，并且能够在一定的电压作用下在不同电阻状态间转换，从而实现数据的存储。阻变存储器具有功耗小、工作电压低、读写速度快等优点，因此被广泛应用。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种阻变存储器，包括：第一电极；第二电极；阻变层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；以及至少一层储热层，所述储热层与所述阻变层相邻，所述储热层的热导率小于所述第一电极和所述第二电极的热导率。

例如，本公开至少一实施例提供的一种阻变存储器中，所述第一电极和/或所述第二电极的热导率为所述储热层的热导率的二倍、五倍或十倍以上。

例如，本公开至少一实施例提供的一种阻变存储器中，所述储热层采用的材料的热导率为0.01W·m^-1·K^-1-20W·m^-1·K^-1。

例如，本公开至少一实施例提供的一种阻变存储器中，所述储热层形成在所述阻变层的上方和/或下方和/或侧方。

例如，本公开至少一实施例提供一种阻变存储器，还包括基底，其中，所述第一电极、第二电极、阻变层、储热层均形成于所述基底上。

例如，本公开至少一实施例提供的一种阻变存储器中，所述基底采用的材料为硅和/或硅氧化物。

例如，本公开至少一实施例提供的一种阻变存储器中，所述第一电极和/或所述第二电极采用的材料为Ti、Al、Ni、Ag、Au、W、Cu、Pt、Pd或TiN。

例如，本公开至少一实施例提供的一种阻变存储器中，所述阻变层采用的材料为过渡金属氧化物。

例如，本公开至少一实施例提供的一种阻变存储器中，所述过渡金属氧化物为AlO_x、TaO_x、HfO_x、SiO_x、TiO_x或WO_x。

例如，本公开至少一实施例提供的一种阻变存储器中，所述阻变层的厚度为1纳米-30纳米。

例如，本公开至少一实施例提供的一种阻变存储器中，所述储热层采用的材料的电导率为10μΩ/cm²-10Ω/cm²。

例如，本公开至少一实施例提供的一种阻变存储器中，所述储热层采用的材料为缺氧的金属氧化物或相变材料。

例如，本公开至少一实施例提供的一种阻变存储器中，所述缺氧的金属氧化物为AlO_x、HfO_x、SiO_x、TiO_x、TaO_x或WO_x；或者，所述相变材料为GST。

例如，本公开至少一实施例提供的一种阻变存储器中，所述储热层的厚度为10纳米-200纳米。

本公开至少一实施例提供的一种阻变存储器的制备方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成阻变层和至少一层储热层；在所述储热层或阻变层上形成第二电极层。