[发明专利]阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，包括：

第一电极，其中，所述第一电极沿第一方向延伸，且在所述第一电极的端部具有第一焊盘，所述第一焊盘在垂直于所述第一方向上的宽度大于所述第一电极在垂直于所述第一方向上的宽度；

第二电极，其中，所述第二电极沿第二方向延伸，且在所述第二电极的端部具有第二焊盘，所述第二焊盘在垂直于所述第二方向上的宽度大于所述第二电极在垂直于所述第一方向上的宽度，所述第一方向不同于所述第二方向；

阻变层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；以及

至少一层储热层，所述储热层与所述阻变层相邻，所述储热层的热导率小于所述第一电极和所述第二电极的热导率；

其中，所述至少一层储热层包括多个储热层，所述多个储热层分别设置在所述阻变层的上方、下方和侧方，以包围所述阻变层。

2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其中，所述第一电极和/或所述第二电极的热导率为所述储热层的热导率的二倍、五倍或十倍以上。

3.根据权利要求1所述的阻变存储器，其中，所述储热层采用的材料的热导率为0.01W·m^-1·K^-1-20W·m^-1·K^-1。

4.根据权利要求1所述的阻变存储器，还包括基底，其中，所述第一电极、第二电极、阻变层、储热层均形成于所述基底上。

5.根据权利要求4所述的阻变存储器，其中，

所述基底采用的材料为硅和/或硅氧化物。

6.根据权利要求1所述的阻变存储器，其中，

所述第一电极和/或所述第二电极采用的材料为Ti、Al、Ni、Ag、Au、W、Cu、Pt、Pd或TiN。

7.根据权利要求1所述的阻变存储器，其中，

所述阻变层采用的材料为过渡金属氧化物。

8.根据权利要求7所述的阻变存储器，其中，

所述过渡金属氧化物为AlO_x、TaO_x、HfO_x、SiO_x、TiO_x或WO_x。

9.根据权利要求1所述的阻变存储器，其中，

所述阻变层的厚度为1纳米至30纳米。

10.根据权利要求1所述的阻变存储器，其中，

所述储热层采用的材料的电导率为10μΩ/cm²-10Ω/cm²。

11.根据权利要求1所述的阻变存储器，其中，

所述储热层采用的材料为缺氧的金属氧化物或相变材料。

12.根据权利要求11所述的阻变存储器，其中，

所述缺氧的金属氧化物为AlO_x、HfO_x、SiO_x、TiO_x、TaO_x或WO_x；或者，所述相变材料为GST。

13.根据权利要求1所述的阻变存储器，其中，

所述储热层的厚度为10纳米至200纳米。