[发明专利]一种3D‑SONOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710797275.6 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107623004A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 姚邵康;唐小亮;陈广龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种3D‑SONOS器件及其制造方法，该3D‑SONOS器件包括依次邻接的多晶硅栅极，顶层氧化硅层，氮化硅层，隧穿氧化硅层以及硅衬底，其中所述多晶硅栅极，顶层氧化硅层，氮化硅层，隧穿氧化硅层分别沿硅衬底的沟道宽度方向包裹一定深度的硅衬底。针对目前SONOS器件尺寸不断缩小出现的问题，本发明提出一种3D‑SONOS器件及其制造方法，通过形成3D结构来增加有效沟道宽度，从而提高读出电流，进而提高了SONOS器件的写入和擦除窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sonos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种3D‑SONOS器件，其特征在于，包括：依次邻接的多晶硅栅极，顶层氧化硅层，氮化硅层，隧穿氧化硅层以及硅衬底，其中所述多晶硅栅极，顶层氧化硅层，氮化硅层，隧穿氧化硅层分别沿硅衬底的沟道宽度方向包裹一定深度的硅衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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