[发明专利]一种3D‑SONOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D-SONOS器件，其特征在于，包括：

依次邻接的多晶硅栅极，顶层氧化硅层，氮化硅层，隧穿氧化硅层以及硅衬底，其中所述多晶硅栅极，顶层氧化硅层，氮化硅层，隧穿氧化硅层分别沿硅衬底的沟道宽度方向包裹一定深度的硅衬底。

2.根据权利要求1所述的3D-SONOS器件，其特征在于，该器件隔离工艺采用浅沟槽隔离工艺。

3.根据权利要求2所述的3D-SONOS器件，其特征在于，所述沿沟道宽度方向的包裹深度由浅沟槽中隔离氧化层的高度决定。

4.根据权利要求3所述的3D-SONOS器件，其特征在于，所述浅沟槽隔离氧化层的高度调节通过湿法刻蚀工艺实现。

5.一种3D-SONOS器件制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

在硅衬底上形成浅沟槽隔离，并在硅片表面形成隔离氧化层；

在硅衬底上通过光刻，离子注入形成SONOS器件阱区；

通过湿法刻蚀工艺调整浅沟槽中隔离氧化层的高度，使得浅沟槽中的隔离氧化层低于顶部硅衬底一定深度；

在所述结构上沉积ONO介质层，并在所述ONO介质层上沉积多晶硅层，通过光刻，干法刻蚀形成栅极；

干法刻蚀多晶硅栅极以外的ONO介质层，生长多晶硅栅极侧墙，进行离子注入形成源漏极，最终形成3D-SONOS器件。

6.根据权利要求5所述的3D-SONOS器件制造方法，其特征在于，所述ONO介质层包括隧穿氧化层，氮化硅层，顶层氧化硅层。