[发明专利]IGZO薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201710796760.1 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107546259A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 曹威 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/45;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/44 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGZO薄膜晶体管，包括衬底、栅电极层、栅极绝缘层、IGZO有源层、保护层、源极和漏极，栅极绝缘层覆盖在栅电极层上，IGZO有源层、保护层自下而上依次层叠在栅极绝缘层上，源极和漏极间隔地位于保护层上相对的两侧，且分别穿过保护层后连接IGZO有源层；源极和漏极之间形成沟道，保护层顶部形成与沟道连通且正对的凹陷。本发明还公开了一种IGZO薄膜晶体管的制作方法。通过在IGZO有源层上覆盖保护层，将源极和漏极提升到保护层上面，对源极和漏极之间的部分保护层进行导体化处理，实现了IGZO有源层与源极/漏极接触区域良好的欧姆接触，提高了沟道尺寸精度，也避免了IGZO层背沟道的刻蚀损伤。 | ||
| 搜索关键词： | igzo 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种IGZO薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底(1)、栅电极层(2)、栅极绝缘层(3)、IGZO有源层(4)、保护层(5)以及源极(6a)和漏极(6b)，所述栅电极层(2)设于所述衬底(1)上，所述栅极绝缘层(3)覆盖在所述栅电极层(2)上，所述IGZO有源层(4)和所述保护层(5)自下而上依次层叠在所述栅极绝缘层(3)上，所述源极(6a)和所述漏极(6b)间隔地位于所述保护层(5)的上表面上相对的两侧，且分别穿过所述保护层(5)后连接所述IGZO有源层(4)；所述源极(6a)和所述漏极(6b)之间形成沟道(T)，所述保护层(5)顶部形成与所述沟道(T)连通且正对的凹陷。
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