[发明专利]CMOS图像传感器扇出型封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710795909.4 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107634076A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器扇出型封装结构及其制备方法，所述CMOS图像传感器扇出型封装结构包括塑封材料层；导电结构，位于所述塑封材料层内，且上下贯穿所述塑封材料层；CMOS图像传感器芯片，正面设置有微棱镜及金属焊盘；所述CMOS图像传感器位于所述塑封材料层内；重新布线层，位于所述塑封材料层的第一表面，且位于所述微棱镜的外围，所述重新布线层与所述导电结构及所述金属焊盘相连接；透明基底，键合于所述重新布线层远离所述塑封材料层的表面。本发明的CMOS图像传感器扇出型封装结构具有结构简单、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 扇出型 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器扇出型封装结构，其特征在于，所述CMOS图像传感器扇出型封装结构包括：塑封材料层，包括相对的第一表面及第二表面；导电结构，位于所述塑封材料层内，且上下贯穿所述塑封材料层；CMOS图像传感器芯片，正面设置有微棱镜及金属焊盘；所述CMOS图像传感器位于所述塑封材料层内，所述塑封材料层暴露出所述微棱镜的外表面及所述金属焊盘的外表面；重新布线层，位于所述塑封材料层的第一表面，且位于所述微棱镜的外围，所述重新布线层与所述导电结构及所述金属焊盘相连接；透明基底，键合于所述重新布线层远离所述塑封材料层的表面，以在所述透明基底与所述重新布线层之间形成密封空腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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