[发明专利]CMOS图像传感器扇出型封装结构及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构及封装方法，特别是涉及一种CMOS图像传感器扇出型封装结构及其制备方法。

背景技术

随着技术的发展，CMOS图像传感器(CIS)已经在各个领域均得到了广泛的应用。然而，现有的CMOS图像传感器存在结构复杂，且制备工艺繁琐，制备成本较高等问题。

更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来，集成电路封装将通过不断减小最小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。目前，扇出型封装结构以输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好等优点而被广泛应用。然而，在现有工艺中，还并未出现制备工艺简单及成本低廉的CMOS图像传感器扇出型封装结构。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种CMOS图像传感器扇出型封装结构及其制备方法，用于解决现有技术中的CMOS图像传感器存在的结构复杂，且制备工艺繁琐，制备成本较高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种CMOS图像传感器扇出型封装结构，所述CMOS图像传感器扇出型封装结构包括：

塑封材料层，包括相对的第一表面及第二表面；

导电结构，位于所述塑封材料层内，且上下贯穿所述塑封材料层；

CMOS图像传感器芯片，正面设置有微棱镜及金属焊盘；所述CMOS图像传感器位于所述塑封材料层内，所述塑封材料层暴露出所述微棱镜的外表面及所述金属焊盘的外表面；

重新布线层，位于所述塑封材料层的第一表面，且位于所述微棱镜的外围，所述重新布线层与所述导电结构及所述金属焊盘相连接；

透明基底，键合于所述重新布线层远离所述塑封材料层的表面，以在所述透明基底与所述重新布线层之间形成密封空腔。

优选地，所述塑封材料层包括聚酰亚胺层、硅胶层、环氧树脂层、可固化的聚合物基材料层或可固化的树脂基材料层中的任一种。

优选地，所述导电结构为金属连接球或金属柱。

优选地，所述重新布线层包括：

电介质层，位于所述塑封材料层的第一表面；

金属线层，位于所述电介质层内。

优选地，所述重新布线层包括：

电介质层，位于所述塑封材料层的第一表面；

金属叠层结构，位于所述电介质层内；所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。

优选地，所述电介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，所述金属线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。

优选地，所述透明基底经由键合材料层键合于所述重新布线层远离所述塑封材料层的表面，所述键合材料层位于所述透明基底与所述重新布线层之间，且位于所述CMOS图像传感器芯片的外围。

本发明还提供一种CMOS图像传感器扇出型封装结构的制备方法，所述CMOS图像传感器扇出型封装结构的制备方法包括如下步骤：

1)提供一衬底；

2)于所述衬底的上表面形成导电结构；

3)于所述衬底的上表面键合CMOS图像传感器芯片，所述CMOS图像传感器芯片的正面设置有微棱镜及金属焊盘；

4)于所述衬底的上表面形成塑封材料层，所述塑封材料层将所述导电结构及所述CMOS图像传感器芯片塑封；所述塑封材料层包括相对的第一表面及第二表面，且所述塑封材料层的第一表面与所述衬底的上表面相接触；

5)去除所述衬底；

6)于所述塑封材料层的第一表面形成重新布线层，所述重新布线层位于所述微棱镜的外围，且与所述导电结构及所述金属焊盘相连接；

7)于所述重新布线层远离所述塑封材料层的表面键合透明基底，以在所述透明基底与所述重新布线层之间形成密封空腔。

优选地，于所述衬底的上表面形成所述导电结构之前还包括于所述衬底的上表面形成剥离层的步骤。

优选地，步骤2)中，于所述衬底的上表面形成金属连接球或金属柱作为所述导电结构。

优选地，步骤4)中，采用压缩成型工艺、传递模塑成型工艺、液封成型工艺、真空层压工艺或旋涂工艺于所述衬底的上表面形成所述塑封材料层；所述塑封材料层包括聚酰亚胺层、硅胶层、环氧树脂层、可固化的聚合物基材料层或可固化的树脂基材料层中的任一种。