[发明专利]一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法有效
| 申请号： | 201710781878.7 | 申请日： | 2017-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN107731922B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 段俊涛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型柱状区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带浮空区 通电 碳化硅 mosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件，包括：第一导电类型多晶硅栅极(5)；包裹第一导电类型多晶硅栅极(5)的槽栅介质(7)；设置在槽栅介质(7)两侧的对称结构的源极(1)；设置在源极(1)底部的第一导电类型源接触区(2)、第二导电类型基区(3)和重掺杂第二导电类型基区(4)；自上而下依次设置在槽栅介质(7)下方的第一导电类型漂移区(10)、第一导电类型衬底(12)以及漏极(13)；其特征在于，所述第一导电类型多晶硅栅极(5)下方设置有第二导电类型多晶硅栅极(6)；所述槽栅介质(7)包裹第二导电类型多晶硅栅极(6)；所述第一导电类型漂移区(10)设置有第二导电类型栅氧保护区(9)，所述第二导电类型栅氧保护区(9)两侧设有第二导电类型浮空区(8)；所述第一导电类型漂移区(10)设置有第二导电类型柱状区(11)。
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