[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201710774682.5 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109427976B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 孟虎;梁学磊;夏继业;田博元;董国栋;黄奇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗瑞芝;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，具体涉及薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括形成源极、漏极和有源层的步骤，其中，形成所述有源层的步骤包括：根据所述薄膜晶体管预设的阈值电压，设定有源层位于所述源极与所述漏极之间的沟槽长度；根据所述沟槽长度形成所述有源层。该薄膜晶体管的制备方法，通过改变有源层位于源极和漏极之间的沟槽长度实现了对薄膜晶体管的阈值电压的调控。该制备方法避免了在薄膜晶体管制备工艺中引入多余的步骤，不增加制备过程的工艺难度；而且对阈值电压的调控范围较大，具有有利于在实际电路应用中把薄膜晶体管的阈值电压调控在所需范围等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括形成源极、漏极和有源层的步骤，其特征在于，形成所述有源层的步骤包括：根据所述薄膜晶体管预设的阈值电压，设定有源层位于所述源极与所述漏极之间的沟槽长度；根据所述沟槽长度形成所述有源层。
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