[发明专利]高深宽比结构的制备方法及结构

摘要

本发明提供一种高纵横比结构的制备方法及结构，包括以下步骤：1）提供一半导体晶圆，晶圆的正面上形成有若干个高纵横比结构，若干个高纵横比结构间隔排布，且高纵横比结构之间填充有牺牲层；2）在晶圆的正面喷涂润湿剂，润湿剂与牺牲层的接触角小于30°；3）在保持高纵横比结构的表面润湿状态下，采用湿法刻蚀工艺去除牺牲层。本发明在采用湿法腐蚀工艺去除位于高纵横比结构之间的牺牲层之前，先在牺牲层及高纵横比结构的表面喷涂润湿剂，可以使得润湿剂与牺牲层完全覆盖接触，在后续采用湿法腐蚀溶液去除牺牲层时，湿法腐蚀溶液与牺牲层之间不会产生气泡，可以将牺牲层完全去除，从而可以有效防止高纵横比结构的坍塌。

主权项

1.一种高纵横比结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆的正面上形成有若干个高纵横比结构，若干个所述高纵横比结构间隔排布，且所述高纵横比结构之间填充有牺牲层；其中，所述高纵横比结构的纵横比大于或等于15；2)在所述半导体晶圆的正面喷涂润湿剂，所述润湿剂预先润湿所述高纵横比结构的表面，且所述润湿剂与所述牺牲层的接触角小于30°；及，3)在保持所述高纵横比结构的表面润湿状态下，采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层，以得到所述高纵横比结构。