[发明专利]高深宽比结构的制备方法及结构

权利要求书

1.一种高纵横比结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆的正面上形成有若干个高纵横比结构，若干个所述高纵横比结构间隔排布，且所述高纵横比结构之间填充有牺牲层；其中，所述高纵横比结构的纵横比大于或等于15；

2)在所述半导体晶圆的正面喷涂润湿剂，所述润湿剂预先润湿所述高纵横比结构的表面，且所述润湿剂与所述牺牲层的接触角小于30°；及，

3)在保持所述高纵横比结构的表面润湿状态下，采用一次湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层，且在所述湿法刻蚀工艺中，避免在湿法腐蚀溶液与所述牺牲层之间产生气泡，以得到所述高纵横比结构。

2.根据权利要求1所述的高纵横比结构的制备方法，其特征在于：步骤2)中，所述润湿剂与所述高纵横比结构的接触角小于30°。

3.根据权利要求1所述的高纵横比结构的制备方法，其特征在于：步骤2)中，所述半导体晶圆的表面喷涂的润湿剂为异丙醇。

4.根据权利要求2所述的高纵横比结构的制备方法，其特征在于：采用喷涂工艺向所述半导体晶圆的表面喷涂所述润湿剂，喷涂时间为2秒～15秒。

5.根据权利要求2所述的高纵横比结构的制备方法，其特征在于：在所述半导体晶圆的表面喷涂的所述润湿剂的温度为20℃～75℃。

6.根据权利要求2所述的高纵横比结构的制备方法，其特征在于：在所述半导体晶圆的表面喷涂所述润湿剂的过程中，还包括对所述半导体晶圆进行加热的步骤。

7.根据权利要求6所述的高纵横比结构的制备方法，其特征在于：在所述半导体晶圆的表面喷涂所述润湿剂的过程中，所述半导体晶圆被加热至20℃～75℃。

8.根据权利要求1所述的高纵横比结构的制备方法，其特征在于：步骤3)中，采用不含活性剂的湿法腐蚀溶液去除所述牺牲层。

9.根据权利要求8所述的高纵横比结构的制备方法，其特征在于：所述湿法腐蚀溶液的成分包括氢氟酸、氟化铵、四甲基氢氧化铵或氢氧化铵。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的高纵横比结构的制备方法，其特征在于：步骤3)之后还包括如下步骤：

4)向所述半导体晶圆的正面喷涂清洗液；及，

5)使用氮气对所述半导体晶圆的正面进行吹扫。

11.根据权利要求10所述的高纵横比结构的制备方法，其特征在于：步骤2)～步骤5)中，所述半导体晶圆均处于旋转状态。

12.一种电容器阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体晶圆，于所述半导体晶圆的正面上形成牺牲层；

于所述牺牲层内形成元件开孔，所述元件开孔上下贯穿所述牺牲层，且所述元件开孔的深宽比大于或等于15；

于所述元件开孔内形成电容的下电极，所述下电极覆盖所述元件开孔的侧壁及底部并具有环形缘开口；

向所述半导体晶圆的正面喷涂润湿剂，所述润湿剂预先润湿所述下电极及所述牺牲层的一部分，且所述润湿剂与所述牺牲层的接触角小于30°；

在保持所述下电极的表面润湿状态下，采用一次湿法刻蚀工艺移除所述牺牲层的部分，且在所述湿法刻蚀工艺中，避免在湿法腐蚀溶液与所述牺牲层之间产生气泡；及，

在所述下电极周围填充介电材料，并在所述介电材料上形成电容器的上电极，以制成电容器阵列结构。

13.根据权利要求12所述的电容器阵列结构的制备方法,其特征在于，所述牺牲层的所述部分为电容制作过程中的底层牺牲层。