[发明专利]埋入式字符线结构的制作方法和结构

摘要

本发明公开一种埋入式字符线结构的制作方法和结构，其制作方法包含：首先，提供一基底，一字符线沟槽位于基底中，二源极/漏极掺杂区位于字符线沟槽两侧的基底中，然后形成一氧化硅层覆盖字符线沟槽，之后形成一氮化钛层覆盖氧化硅层，接着进行一斜角掺质注入制作工艺，将硅原子注入氮化钛层中使得部分的氮化钛层转变为一氮硅化钛层，接续形成一导电层于字符线沟槽中，再移除部分的导电层、部分的氮硅化钛层、部分氧化硅以形成一凹槽，最后形成一帽盖层填入凹槽。

主权项

1.一种埋入式字符线结构的制作方法，包含：提供一基底，一字符线沟槽位于该基底中，二源极/漏极掺杂区位于该字符线沟槽两侧的该基底中；形成一氧化硅层覆盖该字符线沟槽；形成一氮化钛层覆盖该氧化硅层；进行一斜角掺质注入制作工艺，将硅原子注入该氮化钛层中使得部分的该氮化钛层转变为一氮硅化钛层；形成一导电层于该字符线沟槽中；移除部分的该导电层、部分的该氮硅化钛层、部分该氧化硅以形成一凹槽；以及形成一帽盖层填入该凹槽。