[发明专利]埋入式字符线结构的制作方法和结构

说明书

本发明公开一种埋入式字符线结构的制作方法和结构，其制作方法包含：首先，提供一基底，一字符线沟槽位于基底中，二源极/漏极掺杂区位于字符线沟槽两侧的基底中，然后形成一氧化硅层覆盖字符线沟槽，之后形成一氮化钛层覆盖氧化硅层，接着进行一斜角掺质注入制作工艺，将硅原子注入氮化钛层中使得部分的氮化钛层转变为一氮硅化钛层，接续形成一导电层于字符线沟槽中，再移除部分的导电层、部分的氮硅化钛层、部分氧化硅以形成一凹槽，最后形成一帽盖层填入凹槽。

技术领域

本发明涉及一种埋入式字符线结构的制作方法和结构，特别是涉及一种可以降低栅极引发漏极漏电流现象的制作方法和结构。

背景技术

动态随机存取存储器(Dyanmic Random Access Memory，DRAM)是许多电子产品内的必要元件。一般来说，动态随机存取存储器单元会包含一晶体管与一电荷贮存装置，为了增加组件密度以及提升动态随机存取存储器的整体性能，工业制造商不断地努力以缩小用于动态随机存取存储器的晶体管的尺寸。然而，随着存储器朝高度集成及高密度发展，字符线的线距逐渐变小，造成字符线之间的耦合增加与栅极引发漏极漏电流(Gate InducedDrain Leakage,GIDL)。因此急需一种能降低栅极引发漏极漏电流的字符线结构。

发明内容

根据本发明的一优选实施例，一种埋入式字符线结构的制作方法，包含：首先，提供一基底，一字符线沟槽位于基底中，二源极/漏极掺杂区位于字符线沟槽两侧的基底中，然后形成一氧化硅层覆盖字符线沟槽，之后形成一氮化钛层覆盖氧化硅层，接着进行一斜角掺质注入制作工艺，将硅原子注入氮化钛层中使得部分的氮化钛层转变为一氮硅化钛层，接续形成一导电层于字符线沟槽中，再移除部分的导电层、部分的氮硅化钛层、部分氧化硅以形成一凹槽，最后形成一帽盖层填入凹槽。

根据本发明的一优选实施例，一种埋入式字符线结构，包含一基底，一字符线沟槽设置于基底中，字符线沟槽包含：一第一沟槽和一第二沟槽，第一沟槽包含一开口和一第一侧壁，一第二沟槽和第一沟槽连通，第二沟槽包含一第二侧壁和一底部，其中第一沟槽的开口的宽度大于第二沟槽的底部的宽度，第二侧壁包含一弧形转角，弧形转角连接第一侧壁，一氧化硅层覆盖第二沟槽，其中接触弧形转角的氧化硅层的厚度大于接触底部的氧化硅层的厚度，一字符线位于第二沟槽中，一帽盖层位于第一沟槽中，二源极/漏极掺杂区位于字符线两侧的基底中。

根据本发明的一优选实施例，一种埋入式字符线结构的制作方法，包含首先提供一基底包含一掺杂区，然后形成一第一沟槽于掺杂区中，并且将掺杂区分为二源极/漏极掺杂区，接着形成一掩模层覆盖第一沟槽的侧壁，之后以掩模层和该等源极/漏极掺杂区为掩模，蚀刻基底以形成一第二沟槽，其中第一沟槽和第二沟槽形成一阶梯轮廓，在形成第二沟槽后，完全移除掩模层，接续进行一氧化制作工艺以形成一氧化硅层覆盖第一沟槽和第二沟槽，最后形成一字符线于第一沟槽和第二沟槽。

附图说明

图1至图6为本发明的第一优选实施例所绘示的一种埋入式字符线结构的制作方法的示意图，其中图3a、图3b和图3c分别绘示不同长度的氮硅化钛层的示意图。

图7至图14为本发明的第二优选实施例所绘示的一种埋入式字符线结构的制作方法的示意图，其中：

图12a是接续图11的步骤的示意图，图12b为图12a中圆形位置的放大图；

图13a绘示的接续图12a、图12b的步骤的示意图，图13b绘示的是弧形转角位于源极/漏极掺杂区下方的基底中的示意图。

主要元件符号说明

10 基底 12 掩模层

14 字符线沟槽 16 源极/漏极掺杂区

18 底部 20 底部