[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够提高性能的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：通过使用了包含第1元素的气体的干法蚀刻去除设置于包含Alx1Ga1－x1N(0≤x11)的第1膜之上的包含Alx2Ga1－x2N(0x21，x1x2)的第2膜的一部分，形成槽，使第1膜的一部分在槽的底部露出。制造方法包括：使露出的第1膜的一部分与包含NH3的气氛接触来进行热处理。制造方法包括：在热处理之后在第1膜的一部分之上形成绝缘膜。制造方法包括：在绝缘膜之上形成电极。绝缘膜具有从第1膜的一部分朝向电极的第1方向上的中央的第1位置，第1位置处的所述第1元素的浓度为1×1018cm‑3以下。

主权项

1.一种半导体装置，具备：第1电极，包括第1导电区域；第2电极，包括第2导电区域，该第2导电区域在第1方向上与所述第1导电区域分离；第3电极，包括第3导电区域，所述第1方向上的所述第3导电区域的第3位置处于所述第1方向上的所述第1导电区域的第1位置与所述第1方向上的所述第2导电区域的第2位置之间；Alx1Ga1－x1N的第1半导体区域，在与所述第1方向交叉的第2方向上，与所述第1导电区域、所述第2导电区域以及所述第3导电区域分离，其中0≤x1<1；Alx2Ga1－x2N的第2半导体区域，在所述第2方向上，设置于所述第1导电区域与所述第1半导体区域之间、所述第2导电区域与所述第1半导体区域之间以及所述第3导电区域与所述第1半导体区域之间，其中0

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