[发明专利]一种氧化锌复合半导体材料的制备方法有效
申请号: | 201710765323.3 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107611009B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 赵宝;史玉兰 | 申请(专利权)人: | 尚妙根 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 蓝天知识产权代理(浙江)有限公司 33229 | 代理人: | 郭亚银 |
地址: | 318050 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 取废弃的硫铁矿渣,将硫铁矿渣置于烧杯中,在加入同等质量的浓度的稀盐酸对硫铁矿渣进行改性,过滤得改性的硫铁矿渣;取改性后的硫铁矿渣,干燥后置于球磨罐中,球磨、过筛,得硫铁矿粉末;按重量份数计,取氧化锌粉末、十六烷基三甲基氯化铵和去离子水置于锥形瓶中,在超声分散下形成的白色悬浊液;取硫铁矿粉末添加至白色的悬浊液中,将锥形瓶放置在磁力搅拌器上搅拌;取多巴胺,将多巴胺溶解在Tris‑HCl缓冲液中,配制成多巴胺盐酸盐溶液;取多巴胺盐酸盐溶液,将多巴胺盐酸盐悬浊液倒入至多巴胺盐酸盐溶液中搅拌,室温下静置;过滤,用蒸馏水洗涤产物后置于烘箱内烘焙,静置冷却至室温,即得一种氧化锌复合半导体材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化锌 复合 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氧化锌复合半导体材料的制备方法,其特征在于具体制备步骤为:(1)按质量比1:1,将硫铁矿和盐酸置于烧杯中,得改性硫铁矿;(2)改性硫铁矿干燥后置于球磨罐中球磨,过筛得硫铁矿粉末;(3)按重量份数计,取2~4份氧化锌粉末、10~20份十六烷基三甲基氯化铵、30~60份去离子水置于锥形瓶中,超声分散,形成白色悬浊液;(4)按质量比1:20,将硫铁矿粉末添加至白色悬浊液中,均匀搅拌;(5)取多巴胺,将多巴胺溶解在的Tris‑HCl缓冲液中,配制成多巴胺盐酸盐溶液;(6)将多巴胺盐酸盐溶液和悬浊液混合,搅拌室温下静置;(7)过滤、洗涤产物,置于烘箱内烘干,即得一种氧化锌复合半导体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造