[发明专利]一种环保型半导体晶片在审
| 申请号： | 201710759421.6 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107482053A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陶彩英 | 申请（专利权）人： | 太仓天润新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L29/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种环保型半导体晶片，它包括第一基底层和第二表面层，所述第一基底层中各组分的质量分数为二氧化硅12‑20份、硼元素1.5‑3份、磷元素0.5‑2.5份、砷元素3‑6份，所述第二表面层中各组分的质量分数为三氧化二硅15‑25份、Ⅲ‑V族化合物组成10‑20份。通过上述方式，本发明一种环保型半导体晶片，兼具了硅和砷化镓两者的优良特性，机械强度高，散热性能好，制成的晶片成品率高，有效降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 环保 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
一种环保型半导体晶片，其特征在于，它包括第一基底层和第二表面层，所述第一基底层由二氧化硅、硼元素、磷元素、砷元素组成，所述第一基底层中各组分的质量分数为：二氧化硅12‑20份、硼元素1.5‑3份、磷元素0.5‑2.5份、砷元素3‑6份，所述第二表面层由三氧化二硅、Ⅲ ‑V族化合物组成，所述第二表面层中各组分的质量分数为：三氧化二硅15‑25份、Ⅲ ‑V族化合物组成10‑20份。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太仓天润新材料科技有限公司，未经太仓天润新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710759421.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
