[发明专利]半导体晶片和方法有效
| 申请号： | 201710756156.6 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107863294B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | A·布里纳;H·布里施;S·拉万加 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;董典红 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体晶片和方法。在一个实施例中，对表面进行平坦化的方法包括将第一层施加到包括突出区域的表面，使得第一层覆盖表面和突出区域，去除突出区域之上的第一层的一部分并在突出区域之上的第一层中形成凹陷，突出区域保持被第一层的材料覆盖，并且逐渐地去除第一层的最外表面以产生平坦化的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种对表面进行平坦化的方法，所述方法包括：将第一层施加到包括突出区域的表面，使得所述第一层覆盖所述表面和所述突出区域；去除所述突出区域之上的所述第一层的一部分，并在所述突出区域之上的所述第一层中形成凹陷，所述突出区域保持被所述第一层的材料覆盖；和逐渐去除所述第一层的最外表面以产生平坦化的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
