[发明专利]三维存储器及其形成方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器及其形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供主体结构，主体结构包括衬底，形成于衬底上的叠层结构；在叠层结构上形成顶层选择门和沟道通孔，使每个顶层选择门对应预设列的沟道通孔；对沟道通孔进行填充形成立柱，至与叠层结构的上表面齐平；刻蚀叠层结构至露出立柱顶部，并对露出的立柱顶部进行修剪形成塞结构；形成覆盖塞结构的门极层，及覆盖门极层的第一氧化物层。本发明中的方法，形成的三维存储器的单位单元(Unit Cell)为8列交错排布的沟道通孔，缩小了占用面积，进而降低了晶片的尺寸需求，减小了三维存储器的体积及其制作成本。

主权项

1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供主体结构，所述主体结构包括衬底，形成于衬底上的叠层结构；在所述叠层结构上形成顶层选择门和沟道通孔，使每个顶层选择门对应预设列的沟道通孔；在所述沟道通孔的侧壁和底层沉积多晶硅，并形成覆盖所述叠层结构上表面的第一多晶硅层；在含有多晶硅的沟道通孔中填充氧化物，并形成覆盖所述第一多晶硅层的第二氧化物层；去除所述第二氧化物层及沟道通孔中的部分氧化物，形成沟道通孔凹槽；在所述沟道通孔凹槽中填充多晶硅，并形成覆盖所述第一多晶硅层的第二多晶硅层；去除所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层至呈现所述叠层结构的上表面，得到对所述沟道通孔进行填充形成的立柱，所述立柱的上表面与所述叠层结构的上表面齐平；刻蚀所述叠层结构至露出立柱顶部，将露出的立柱顶部的外围去除形成塞结构；形成覆盖所述塞结构的门极层，及覆盖所述门极层的第一氧化物层。