[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT显示装置的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及一种TFT显示装置的制作方法，包括步骤提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成源漏极金属层；在所述源漏极金属层上沉积一层光刻胶薄膜，在所述光刻胶薄膜上蚀刻所需的图案；采用BCl3气体除掉所述源漏极金属层表面由于接触空气而产生的金属氧化物；采用Cl2气体和BCl3气体对所述源漏极金属层进行蚀刻。本发明提供了一种TFT基板的制作方法及TFT显示装置的制作方法，通过先单独使用较大流量BCl3气体将源漏极金属层表面的金属氧化物移除，再使用Cl2气体和BCl3气体对源漏极金属层进行蚀刻，能够保证源漏极金属层每个蚀刻区域的蚀刻速度相同，从而大幅度提高源漏极金属层蚀刻后源极和漏极的均一性，进而改善TFT器件的性能。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，所述TFT基板的制作方法包括：步骤S10、提供一衬底基板；步骤S20、在所述衬底基板上形成源漏极金属层；步骤S30、在所述源漏极金属层上沉积一层光刻胶薄膜，在所述光刻胶薄膜上蚀刻所需的图案；步骤S40、采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻；步骤S50、剥离所述光刻胶；其中，采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻的方法包括：步骤S401、采用BCl3气体除掉所述源漏极金属层表面由于接触空气而产生的金属氧化物；步骤S402、采用Cl2气体和BCl3气体对所述源漏极金属层进行蚀刻。