[发明专利]一种3D NAND闪存的制作方法

摘要

本发明提供了一种3D NAND闪存的制作方法，本发明的制作方法通过在形成O/N(Oxide/Nitride)堆叠的交错层叠结构中插入一层多晶硅层，由于多晶硅与氮化硅具有高的选择性，因此可以在不同的步骤和阶段被刻蚀去除；同时，插入的这层多晶硅可以充当沟槽的截止层，并作为硅外延生长的通道，以将硅外延层和多晶硅层连通；因此，通过插入一层多晶硅层的方式可以跳过对于堆叠结构和多晶硅层的刻蚀步骤，从而提高了3D NAND闪存的整体性能。

主权项

1.一种3D NAND闪存的制作方法，包括以下步骤：提供衬底，先在所述衬底表面依次形成第一层层间介质层、第一层第一虚拟介质层和第二层层间介质层；随后在所述第二层层间介质层表面形成一层第二虚拟介质层；随后继续在所述第二虚拟介质层表面依次形成多层交错堆叠的层间介质层及第一虚拟介质层，所述第一虚拟介质层形成于相邻的层间介质层之间；其中，所述第一虚拟介质层与第二虚拟介质层具有高的刻蚀选择性；刻蚀所述层间介质层、第一虚拟介质层以及第二虚拟介质层，以形成垂直于所述衬底的多个通道孔，所述通道孔贯穿所述层间介质层及第一虚拟介质层直至暴露出所述衬底并形成第一硅槽；在所述第一硅槽处进行硅的外延生长形成硅外延层(SEG)；在所述通道孔的侧壁和硅外延层表面上依次形成堆叠结构、多晶硅层和多晶硅介质层，所述多晶硅层包围所述多晶硅介质层；刻蚀所述层间介质层及第一虚拟介质层，以在相邻的多晶硅层之间形成垂直于所述衬底的沟槽，所述沟槽贯穿所述层间介质层及第一虚拟介质层直至暴露出所述第二虚拟介质层；刻蚀所述第二虚拟介质层，并随后刻蚀所述第二虚拟介质层形成的通道孔侧壁处的堆叠结构以暴露出多晶硅层和硅外延层(SEG)；在硅外延层(SEG)处进行硅的外延生长形成新的硅外延层(SEG)直至包围连接所述多晶硅层；沿所述沟槽继续刻蚀层间介质层及第一虚拟介质层，直至暴露所述衬底并形成第二硅槽；刻蚀所述第一虚拟介质层，并沉积填充金属层。