[发明专利]3D NAND闪存的接触窗形成方法及接触窗结构

摘要

本发明涉及一种接触窗形成方法和接触窗结构，接触窗形成方法包括：提供衬底，在衬底表面沉积介质层；第一次刻蚀，形成贯穿介质层、并伸入衬底上部一定距离的第一接触孔洞；生长，在第一接触孔洞的内壁生长氮化硅内墙；第二次刻蚀，在衬底表面的基质层形成第二接触孔洞，保证第二接触孔洞的刻蚀对氮化硅和介质层材料具有高选择比；回刻，去掉在第一接触孔洞的底部内壁生长的部分氮化硅内墙，生成氮化硅侧墙；钨插塞‑化学机械抛光，形成第一接触窗和第二接触窗。本发明通过在刻蚀形成某一接触窗的接触孔洞之前，先在已生成的另一接触窗的接触孔洞内生长氮化硅侧墙，保护了该在先生成的接触孔洞的内壁的完整性，保证3DNAND闪存的接触窗结构的可靠性以及IC电路的金属互联。

主权项

1.3D NAND闪存的接触窗形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，在衬底表面沉积介质层；第一次刻蚀，形成贯穿介质层、并伸入衬底上部一定距离的第一接触孔洞；生长，向第一接触孔洞内沉积氮化硅，使得第一接触孔洞的底壁和侧壁生成氮化硅内墙，保证在沉积氮化硅过程中，介质层表面不产生或仅产生厚度为4nm以下的多余氮化硅；第二次刻蚀，保证第二次刻蚀的方法对氮化硅和介质层的材料具有高度的选择比，从而能够穿透介质层表面的多余氮化硅，并在介质层内部形成第二接触孔洞，同时不穿透氮化硅内墙，所述第二接触孔洞的深度小于所述第一接触孔洞的深度；所述第二次刻蚀之后回刻，去除生长在第一接触孔洞的底壁的氮化硅，形成在第一接触孔洞侧壁生长的氮化硅侧墙；以及钨插塞‑化学机械抛光，在第一接触孔洞和第二接触孔洞内沉积钨，并进行化学机械抛光，去除介质层表面沉积的微量氮化硅和钨，形成第一接触窗和第二接触窗。