[发明专利]3D NAND闪存的接触窗形成方法及接触窗结构

权利要求书

1.3D NAND闪存的接触窗形成方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，在衬底表面沉积介质层；

第一次刻蚀，形成贯穿介质层、并伸入衬底上部一定距离的第一接触孔洞；

生长，向第一接触孔洞内沉积氮化硅，使得第一接触孔洞的底壁和侧壁生成氮化硅内墙，保证在沉积氮化硅过程中，介质层表面不产生或仅产生厚度为4nm以下的多余氮化硅；

第二次刻蚀，保证第二次刻蚀的方法对氮化硅和介质层的材料具有高度的选择比，从而能够穿透介质层表面的多余氮化硅，并在介质层内部形成第二接触孔洞，同时不穿透氮化硅内墙，所述第二接触孔洞的深度小于所述第一接触孔洞的深度；

所述第二次刻蚀之后回刻，去除生长在第一接触孔洞的底壁的氮化硅，形成在第一接触孔洞侧壁生长的氮化硅侧墙；以及

钨插塞-化学机械抛光，在第一接触孔洞和第二接触孔洞内沉积钨，并进行化学机械抛光，去除介质层表面沉积的微量氮化硅和钨，形成第一接触窗和第二接触窗。

2.如权利要求1所述的接触窗形成方法，其特征在于，

氮化硅侧墙的厚度大于60埃，且位于第一接触孔洞内的氮化硅侧墙的顶端厚度和底端厚度的比值(S/C)大于75％。

3.如权利要求1所述的接触窗形成方法，其特征在于，

第一接触孔洞的底部关键尺寸大于100nm，第一接触孔洞的顶部关键尺寸大于150nm。

4.如权利要求1所述的接触窗形成方法，其特征在于，

介质层的成份为二氧化硅。

5.如权利要求1所述的接触窗形成方法，其特征在于，

第一接触孔洞位于3D NAND闪存的外围电路区域，第二接触孔洞位于3D NAND闪存的核心存储区域，第二接触孔洞位于介质层的内部，并与位于介质层内部的钨引线连通。

6.如权利要求1～5任一所述的形成方法形成的接触窗结构，其特征在于，包括

内部设有金属钨插塞的所述第一接触孔洞，所述第一接触孔洞位于3D NAND闪存的外围电路区域；以及

内部设有金属钨插塞的所述第二接触孔洞，所述第二接触孔洞位于3D NAND闪存的核心存储区域；

其中，所述第一接触孔洞的侧壁贴设有氮化硅内墙层，氮化硅内墙层的与所述第一接触孔洞的内壁相对的一侧与内部对应设置的金属钨插塞的外周贴合；所述第二接触孔洞的内壁与内部对应设置的金属钨插塞的外周贴合。