[发明专利]半导体制造中的重叠测量和补偿的方法

摘要

本发明的实施例提供了一种方法，包括接收具有第一层和位于第一层上方第二层的器件，该第一层具有第一重叠标记。该方法还包括在第二层上方形成第一光刻胶图案，第一光刻胶图案具有第二重叠标记。该方法还包括使用第一光刻胶图案中的第二重叠标记和第一重叠标记实施第一重叠测量；以及实施一个或多个第一制造工艺，由此将第二重叠标记转印至第二层中并且去除第一光刻胶图案。该方法还包括实施包括在第二层上方形成第三层的一个或多个第二制造工艺。在实施一个或多个第二制造工艺之后，该方法包括使用第二层中的第二重叠标记和第一重叠标记来实施第二重叠测量。

主权项

一种半导体制造的方法，包括：接收具有第一层和位于所述第一层上方的第二层的器件，所述第一层具有第一重叠标记；在所述第二层上方形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有第二重叠标记；使用所述第一光刻胶图案中的所述第二重叠标记和所述第一重叠标记实施第一重叠测量；实施一个或多个第一制造工艺，光刻胶从而将所述第二重叠标记转印至所述第二层中并且去除所述第一光刻胶图案；实施包括在所述第二层上方形成第三层的一个或多个第二制造工艺；以及在实施所述一个或多个第二制造工艺之后，使用所述第二层中的所述第二重叠标记和所述第一重叠标记来实施第二重叠测量。