[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710706018.7 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109411332B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;刘盼盼;郑二虎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/266;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：对光刻胶层侧壁进行等离子体处理，等离子体处理的工艺还刻蚀了第一开口和第二开口底部的底部抗反射层，使底部抗反射层表面呈凹陷状，且第二开口底部的底部抗反射层表面的凹陷程度大于第一开口底部的底部抗反射层表面的凹陷程度；之后刻蚀第一开口和第二开口底部的底部抗反射层，在第一开口和第二开口底部的底部抗反射层中对应形成贯穿底部抗反射层的第三开口和第四开口，第四开口的底部宽度小于第三开口的底部宽度；刻蚀第三开口底部的待刻蚀层、以及第四开口底部的待刻蚀层，在待刻蚀层密集区中形成第一槽，在待刻蚀层稀疏区中形成第二槽。提高了半导体器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括稀疏区和密集区，待刻蚀层上具有底部抗反射层和位于底部抗反射层表面的光刻胶层，光刻胶层中具有贯穿光刻胶层的第一开口和第二开口，第一开口位于密集区上，第二开口位于稀疏区上；对光刻胶层侧壁进行等离子体处理，等离子体处理的工艺还刻蚀了第一开口和第二开口底部的底部抗反射层，使底部抗反射层表面呈凹陷状，且第二开口底部的底部抗反射层表面的凹陷程度大于第一开口底部的底部抗反射层表面的凹陷程度；进行等离子体处理后，刻蚀第一开口和第二开口底部的底部抗反射层，在第一开口底部的底部抗反射层中形成贯穿底部抗反射层的第三开口，在第二开口底部的底部抗反射层中形成贯穿底部抗反射层的第四开口，第四开口的底部宽度小于第三开口的底部宽度；刻蚀第三开口底部的待刻蚀层、以及第四开口底部的待刻蚀层，在待刻蚀层密集区中形成第一槽，在待刻蚀层稀疏区中形成第二槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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