[发明专利]一种高压LED芯片的制备方法

摘要

本发明提供一种高压LED芯片的制备方法，将ITO合并于MESA工序，PV层合并于PN电极工序，缩短了高压LED芯片生产流程，提升设备利用率和产品制程良率；在P型外延层与扩展电极之间设置阻挡层和扩展辅助层，解决了LED芯片发光亮度和发光均匀性的问题；通过过腐蚀技术，有效控制发光面积的损失，提升产品发光效率；各个独立发光半导体的第一电极和第二电极可以根据需求在形成的独立发光半导体层第一电极和第二电极的同时通过电极连接层电连接，形成串联结构的独立发光半导体层，无需再进行单独测试、切割、封装，降低了成本；且由于各个发光半导体层可以在形成电极的同时形成串联结构，所以本发明的方法制备的LED结构能够在较大电压下工作。

主权项

一种高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：步骤一，提供一衬底，在所述衬底上形成发光半导体层，其中所述发光半导体层包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；步骤二，刻蚀所述发光半导体层形成隔离槽，所述隔离槽暴露所述衬底的表面；步骤三，通过PECVD在所述发光半导体层上、所述隔离槽底部暴露出的衬底上形成第一绝缘薄膜防护层；步骤四，去除部分所述第一绝缘薄膜防护层，保留所述发光半导体层上部分以及所述发光半导体层靠近所述隔离槽边缘的第一绝缘薄膜防护层；步骤五，通过电子束蒸镀或溅射工艺方法在所述发光半导体层上、所述隔离槽底部暴露出的衬底上沉积透明导电薄膜层；步骤六，采用光阻剂做掩膜，湿法过腐蚀方法去除部分所述透明导电薄膜层，腐蚀后不进行去光阻；通过ICP进行刻蚀，刻蚀至N型半导体层；步骤七，通过合金炉对所述透明导电薄膜层进行退火；步骤八，通过PECVD在所述发光半导体层上、所述隔离槽底部暴露出的衬底上、以及刻蚀的N型半导体层形成第二绝缘薄膜防护层；步骤九，采用光阻剂做掩膜，湿法腐蚀方法或ICP刻蚀去除部分所述第二绝缘薄膜防护层，不进行去光阻；步骤十，采用电子束蒸镀或溅射的方法进行金属薄膜沉积，采用LIFT‑OFF方式进行图案化的光阻剂及残金剥离。