[发明专利]一种高压LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

步骤一，提供一衬底，在所述衬底上形成发光半导体层，其中所述发光半导体层包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；

步骤二，刻蚀所述发光半导体层形成隔离槽，所述隔离槽暴露所述衬底的表面；

步骤三，通过PECVD在所述发光半导体层上、所述隔离槽底部暴露出的衬底上形成第一绝缘薄膜防护层；

步骤四，去除部分所述第一绝缘薄膜防护层，保留所述发光半导体层上部分以及所述发光半导体层靠近所述隔离槽边缘的第一绝缘薄膜防护层；

步骤五，通过电子束蒸镀或溅射工艺方法在所述发光半导体层上、所述隔离槽底部暴露出的衬底上沉积透明导电薄膜层；

步骤六，采用光阻剂做掩膜，湿法过腐蚀方法去除部分所述透明导电薄膜层，腐蚀后不进行去光阻；通过ICP进行刻蚀，刻蚀至N型半导体层；

步骤七，通过合金炉对所述透明导电薄膜层进行退火；

步骤八，通过PECVD在所述发光半导体层上、所述隔离槽底部暴露出的衬底上、以及刻蚀的N型半导体层形成第二绝缘薄膜防护层；

步骤九，采用光阻剂做掩膜，湿法腐蚀方法或ICP刻蚀去除部分所述第二绝缘薄膜防护层，不进行去光阻；

步骤十，采用电子束蒸镀或溅射的方法进行金属薄膜沉积，采用LIFT-OFF方式进行图案化的光阻剂及残金剥离。

2.根据权利要求1所述的高压LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述步骤二中，所述隔离槽将所述发光半导体层分割成若干分离的独立发光半导体层。

3.根据权利要求2所述的高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述隔离槽的俯视形状呈倒梯形，下底宽6-12um，上底宽15-30um。

4.根据权利要求1所述的高压LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述步骤三中，形成所述第一绝缘薄膜防护层时采用分步沉积法，沉积过程中增加N₂O吹扫，其中，N₂O吹扫次数为1-10次。

5.根据权利要求1所述的高压LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述步骤五中，所述透明导电薄膜层的厚度为

6.根据权利要求1所述的高压LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述步骤六中，刻蚀时，同时对光阻以及N型半导体层进行刻蚀，刻蚀深度为1um-1.5um。

7.根据权利要求1所述的高压LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述步骤七中，退火时间为1-10mim，温度为500℃-650℃。

8.根据权利要求1所述的高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘薄膜防护层为SiN或SiO₂，所述第一绝缘薄膜防护层的厚度为

9.根据权利要求1所述的高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第二绝缘薄膜防护层为SiN或SiO₂，所述第二绝缘薄膜防护层的厚度为

10.根据权利要求1所述的高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述透明导电薄膜层是ITO。