[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质。提供抑制EOT增加且具有高功函数的功函数金属膜。半导体装置的制造方法具有：将对基板供应含第1金属元素的含第1金属气体的工序、从基板除去该气体的工序、对基板供应反应气体的工序和从基板除去该气体的工序重复数次，形成第1金属层的工序；及，将对所得基板供应含与氧的键强于第1金属元素的第2金属元素的含第2金属气体的工序、从基板除去该气体的工序、对基板供应反应气体的工序、从基板除去该气体的工序进行1次，在第1金属层上形成第2金属层的工序；将形成第1、第2金属层的工序重复数次，在基板上形成含第1和第2金属元素、功函数比第1金属层高、与氧的键强的导电膜。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其具有如下工序：具有形成第1金属层的工序和形成第2金属层的工序，所述形成第1金属层的工序具有：(a)对处理室内所收容的基板供应含有第1金属元素的含第1金属气体的工序，(b)从所述处理室除去所述含第1金属气体的工序，(c)对所述基板供应反应气体的工序，和(d)从所述处理室除去所述反应气体的工序，且将所述(a)～(d)重复数次，形成含有所述第1金属元素的第1金属层；所述形成第2金属层的工序具有：(e)对所述处理室内所收容的形成有所述第1金属层的基板供应含有第2金属元素的含第2金属气体的工序，其中，所述第2金属元素具有与氧的键比所述第1金属元素强的性质，(f)从所述处理室除去所述含第2金属气体的工序，(g)对所述基板供应所述反应气体的工序，和(h)从所述处理室除去所述反应气体的工序，且将所述(e)～(h)进行1次，在所述第1金属层上直接形成含有所述第2金属元素的第2金属层；将所述形成第1金属层的工序和所述形成第2金属层的工序重复数次，在所述基板上形成含有所述第1金属元素和所述第2金属元素、与所述第1金属层相比功函数高、且与氧的键强的导电膜。