[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201710702110.6 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107579140B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 李素拉;蔡钟炫 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管，并且更具体地，涉及一种其中接合焊盘被焊接到安装衬底的发光二极管，其中该发光二极管具有可以使焊接期间空隙的出现最小化的接合焊盘形状。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置，其中，所述发光装置包括：氮化物基半导体堆叠，包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层，且包含通过贯穿所述第二导电型半导体层和有源层而使所述第一导电型半导体层暴露的区域；第一电极，通过暴露所述第一导电型半导体层的区域而电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极，电连接到所述第二导电型半导体层；以及第一接合焊盘以及第二接合焊盘，位于所述氮化物基半导体堆叠上，分别电连接到所述第一电极和第二电极，所述第二接合焊盘包含两个以上的线形突出部以及位于所述突出部之间的非导电区域，在暴露所述第一导电型半导体层的区域中的至少一部分位于所述非导电区域的下部。
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