[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光装置，其中，所述发光装置包括：

氮化物基半导体堆叠，包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层，且包含通过贯穿所述第二导电型半导体层和有源层而使所述第一导电型半导体层暴露的区域；

第一电极，通过暴露所述第一导电型半导体层的区域而电连接于所述第一导电型半导体层；

第二电极，电连接到所述第二导电型半导体层；以及

第一接合焊盘以及第二接合焊盘，位于所述氮化物基半导体堆叠上，分别电连接到所述第一电极和第二电极，

所述第二接合焊盘包含两个以上的线形突出部以及位于所述突出部之间的非导电区域，

在暴露所述第一导电型半导体层的区域中的至少一部分位于所述非导电区域的下部。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

暴露所述第一导电型半导体层的区域包括多个孔，在多个所述孔中的至少一部分位于所述非导电区域的下部。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述第二接合焊盘包括与所述发光元件的一侧表面相邻地布置而沿所述一侧表面延伸形成的部分，

所述线形状的突出部从沿所述一侧表面延伸形成的部分朝向所述第一接合焊盘的方向延伸形成。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

暴露所述第一导电型半导体层的区域中的一部分被所述第一接合焊盘覆盖。

5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，

所述第一接合焊盘包括两个以上的线形突出部以及位于所述突出部之间的非导电区域，

暴露所述第一导电型半导体层的区域中的一部分位于所述第一接合焊盘的突出部的下部。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

两个以上的所述线形突出部中的至少两个彼此连接。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

两个以上的所述线形突出部形成有n个，并包括n-1个以上的连接部分而彼此连接，其中，n≥2。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述线形突出部的宽度为40μm以上，且200μm以下。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述线形突出部的面积是焊球可接触区域面积的40％以上。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

还包括：上部绝缘层，覆盖所述第一电极和所述第二电极，且包含第一开口以及第二开口，所述第一开口以及第二开口分别部分地暴露所述第一电极和第二电极。

11.根据权利要求10所述的发光装置，其中，

所述第二开口的至少一部分位于所述第二接合焊盘的突出部的下部。

12.根据权利要求11所述的发光装置，其中，

所述第二接合焊盘的突出部通过所述第二开口的至少一部分而与所述第二电极接触。

13.根据权利要求1所述的发光装置，其中，还包括：

下绝缘层，覆盖所述第二电极；以及

上绝缘层，覆盖所述第一电极，

所述第二电极位于所述第二导电型半导体层上，并与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触，

所述下绝缘层覆盖所述第二电极，且包括：开口，该开口暴露所述第二电极的一部分以及将所述第一导电型半导体层暴露的区域的至少一部分，

所述第一电极覆盖所述下绝缘层，且通过所述下绝缘层的开口的一部分而与暴露所述第一导电型半导体层的区域的第一导电型半导体层形成欧姆接触，

所述上绝缘层覆盖所述第一电极，并且包括将所述第一电极的一部分以及所述第二电极的一部分暴露的开口。