[发明专利]图像传感器集成芯片及其形成方法

摘要

本发明涉及具有减小图像传感器芯片的像素区之间的串扰的栅格结构的图像传感器集成芯片。在一些实施例中，集成芯片具有布置在衬底内的图像感测元件。沿着衬底的背侧设置吸收增强结构。在吸收增强结构上方布置栅格结构。栅格结构限定布置在图像感测元件上方的开口并且从吸收增强结构上方延伸至吸收增强结构内的位置。通过使栅格结构延伸到吸收增强结构中，栅格结构能够通过阻挡从吸收增强结构的非平坦表面反射的辐射移动至相邻的像素区来减少相邻图像感测元件之间的串扰。本发明的实施例还涉及形成图像传感器集成芯片的方法。

主权项

一种图像传感器集成芯片，包括：图像感测元件，布置在衬底内；吸收增强结构，布置在所述衬底的背侧上方；以及栅格结构，限定布置在所述图像感测元件上方的开口，其中，所述栅格结构从所述吸收增强结构上方延伸至所述吸收增强结构内的位置。