[发明专利]衬底处理装置、光刻用模板的制造方法及记录程序的记录介质在审
| 申请号： | 201710697329.1 | 申请日： | 2017-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN108615693A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 大桥直史 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;刘伟志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够抑制产生微粒的衬底处理装置、光刻用模板的制造方法、记录程序的记录介质。根据本发明的一个方案，提供如下技术，具有：衬底载置台，其具有支承衬底中的非接触区域的背面的凸部、和与上述凸部一起构成空间的底部，该衬底在中央具有图案形成区域且在外周具有上述非接触区域；处理室，其具有上述衬底载置台；处理气体供给部，其向上述处理室供给处理气体；和热气体供给部，其向上述空间供给热气体。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 衬底处理装置 非接触区域 记录程序 热气体 载置台 光刻 凸部 处理气体供给部 图案形成区域 处理气体 供给部 外周 支承 制造 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：衬底载置台，其具有支承衬底中的非接触区域的背面的凸部、和与所述凸部一起构成空间的底部，所述衬底在中央具有图案形成区域且在外周具有所述非接触区域；处理室，其具有所述衬底载置台；处理气体供给部，其向所述处理室供给处理气体；和热气体供给部，其向所述空间供给热气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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