[发明专利]衬底处理装置、光刻用模板的制造方法及记录程序的记录介质在审
申请号: | 201710697329.1 | 申请日: | 2017-08-15 |
公开(公告)号: | CN108615693A | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 大桥直史 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;刘伟志 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 衬底处理装置 非接触区域 记录程序 热气体 载置台 光刻 凸部 处理气体供给部 图案形成区域 处理气体 供给部 外周 支承 制造 | ||
本发明的目的在于提供一种能够抑制产生微粒的衬底处理装置、光刻用模板的制造方法、记录程序的记录介质。根据本发明的一个方案,提供如下技术,具有:衬底载置台,其具有支承衬底中的非接触区域的背面的凸部、和与上述凸部一起构成空间的底部,该衬底在中央具有图案形成区域且在外周具有上述非接触区域;处理室,其具有上述衬底载置台;处理气体供给部,其向上述处理室供给处理气体;和热气体供给部,其向上述空间供给热气体。
技术领域
本发明涉及衬底处理装置、光刻用模板(template)的制造方法、记录程序的记录介质。
背景技术
作为对衬底进行处理的衬底处理装置,例如具有在处理室内具有支承衬底的衬底支承部的装置(例如专利文献1)。
在衬底处理装置中,构成为能够处理多种衬底。作为其中之一,具有用作纳米压印(nanoimprint)用光刻模板的玻璃衬底。具有使该模板转印到被转印衬底上的树脂上来形成图案的方法(例如专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-63033号公报
专利文献2:日本特开2013-235885号公报
发明内容
在纳米压印处理中将光刻用模板的构造转印到被转印衬底上,因此模板构造需要高的准确性。为了制造准确性高的模板,需要例如在模板构造中形成硬掩膜等的衬底处理。在形成硬掩膜时,进行例如加热衬底等的处理。
另外,在纳米压印技术领域中,需要抑制产生微粒(particle)。这是因为,在微粒附着于模板而无法成为所期望的形状的情况下,当使用该模板来进行转印时,被转印衬底侧的成品率会显著降低。
因此,本发明的目的在于提供一种能够抑制产生微粒的技术。
根据本发明的一个方案,提供一种技术,具有:衬底载置台,其具有支承衬底中的非接触区域的背面的凸部、和与上述凸部一起构成空间的底部,该衬底在中央具有图案形成区域且在外周具有上述非接触区域;处理室,其具有上述衬底载置台;处理气体供给部,其向上述处理室供给处理气体;和热气体供给部,其向上述空间供给热气体。发明效果
根据本发明,能够抑制产生微粒。
附图说明
图1是说明在本发明的实施方式中进行处理的衬底的说明图。
图2是说明本发明的实施方式的衬底处理装置的说明图。
图3是说明本发明的实施方式的衬底载置台的说明图。
图4是说明本发明的实施方式的衬底载置台室的说明图。
图5是说明本发明的实施方式的控制器的说明图。
图6是说明本发明的实施方式的衬底处理流程的说明图。
图7是说明本发明的实施方式的衬底载置台的说明图。
图8是说明本发明的实施方式的衬底载置台的说明图。
图9是说明本发明的比较例的衬底载置台的说明图。
附图标记说明
100…衬底处理装置,200…衬底,212…衬底载置台,225…气体加热部,280…控制器
具体实施方式
以下,一边参照附图一边说明本发明的实施方式。
[本发明的第一实施方式]
说明本发明的第一实施方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造