[发明专利]对基材进行湿处理的方法在审
申请号: | 201710686014.7 | 申请日: | 2017-08-11 |
公开(公告)号: | CN107731658A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | P·梅尔腾斯 | 申请(专利权)人: | IMEC非营利协会 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B81C1/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 徐鑫,项丹 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及对基材进行湿处理的方法。对结构进行湿处理的方法,该方法包括获得包括第一表面的结构,所述结构包括至少在第一端与第一表面固定并从其突出的特征件,其中,特征件的侧壁朝向第二表面并与其间隔开间隙g;对结构进行湿处理,之后对结构进行干燥,其中,进行湿处理包括将结构暴露于包含水的清洗液体对其进行清洗,以及之后将结构暴露于液体序列,其中序列的第一液体可与清洗液体混溶,序列的最后液体使得与第二表面和侧壁的接触角约为90°,其中,序列中的每个液体可与前面那个液体混溶,从而至少结构的第一表面在暴露于序列之前保持被清洗液体覆盖并且在暴露于序列的后面那个液体之前保持被序列的每个液体覆盖。 | ||
搜索关键词: | 基材 进行 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种对结构进行湿处理的方法,所述方法包括:获得包含第一表面(5、5'、5)的结构(100、110、120、130、140、150),该结构包括至少在第一端与所述第一表面(5、5'、5)固定并从其突出的特征件(10、11、30、40),其中,特征件(100、110、120、130、140、150)的侧壁(6'、65、75)朝向第二表面(6、7、8)并与其间隔开间隙g,‑对所述结构进行湿处理,以及;‑之后,对所述结构进行干燥,其特征在于:进行湿处理包括:‑通过将所述结构(100、110、120、130、140、150)暴露于包含水的清洗液体对其进行清洗,以及;‑之后,将所述结构(100、110、120、130、140、150)暴露于液体序列,其中,所述序列的第一液体与所述清洗液体是可混溶的,以及所述序列的最后液体与所述第二表面(6、7、8)和所述侧壁的接触角约为90°,其中,所述序列中的每个液体与前面那个液体是可混溶的,从而至少所述结构的第一表面在暴露于所述序列之前保持被所述清洗液体覆盖并且在暴露于所述序列的后续液体之前保持被所述序列的每个液体覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造