[发明专利]对基材进行湿处理的方法在审
申请号: | 201710686014.7 | 申请日: | 2017-08-11 |
公开(公告)号: | CN107731658A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | P·梅尔腾斯 | 申请(专利权)人: | IMEC非营利协会 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B81C1/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 徐鑫,项丹 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 进行 处理 方法 | ||
1.一种对结构进行湿处理的方法,所述方法包括:
获得包含第一表面(5、5'、5")的结构(100、110、120、130、140、150),该结构包括至少在第一端与所述第一表面(5、5'、5")固定并从其突出的特征件(10、11、30、40),其中,特征件(100、110、120、130、140、150)的侧壁(6'、65、75)朝向第二表面(6、7、8)并与其间隔开间隙g,
-对所述结构进行湿处理,以及;
-之后,对所述结构进行干燥,
其特征在于:
进行湿处理包括:
-通过将所述结构(100、110、120、130、140、150)暴露于包含水的清洗液体对其进行清洗,以及;
-之后,将所述结构(100、110、120、130、140、150)暴露于液体序列,其中,所述序列的第一液体与所述清洗液体是可混溶的,以及所述序列的最后液体与所述第二表面(6、7、8)和所述侧壁的接触角约为90°,其中,所述序列中的每个液体与前面那个液体是可混溶的,从而至少所述结构的第一表面在暴露于所述序列之前保持被所述清洗液体覆盖并且在暴露于所述序列的后续液体之前保持被所述序列的每个液体覆盖。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在0.5-2巴的压力以及10-30℃的温度下进行湿处理。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,将所述结构暴露于所述序列开始于:将所述第一液体与所述清洗液体接触,之后逐渐用所述第一液体替换掉所述清洗液体。
4.如前述任一项权利要求所述的方法,其特征在于,将所述结构暴露于所述序列包括:将所述序列中的液体与所述序列中的后续液体接触,之后逐渐用所述后续液体替换掉所述液体。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,
-当至少所述侧壁和所述第二表面是极性材料时,所述最后液体是非极性溶剂,或者;
-当至少所述侧壁和所述第二表面是非极性材料时,所述最后液体是极性溶剂。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述非极性溶剂是烷烃、环烷烃或芳烃。
7.如权利要求5或6所述的方法,其特征在于,所述非极性溶剂选自下组:庚烷、己烷、戊烷、苯、环己烷、(2,2,4)-三甲基戊烷和甲苯。
8.如权利要求5所述的方法,其特征在于,形成所述最后液体的极性溶剂包含水。
9.如前述任一项权利要求所述的方法,其特征在于,所述第一液体是极性溶剂。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,形成所述第一液体的极性溶剂是醇、羧酸、酰胺、有机硫化合物或者有机卤素化合物。
11.如权利要求9或10所述的方法,其特征在于,所述第一液体的极性溶剂选自下组:甲醇、乙醇、异丙醇、二甲基甲酰胺、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸和二甲基亚砜。
12.如前述任一项权利要求所述的方法,其特征在于,在单个容器中进行湿处理。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述单个容器是罐,从而在湿处理过程中,所述结构保持浸入所述罐中。
14.如权利要求12所述的方法,其特征在于,在所述单个容器中,通过喷洒过程进行湿处理。
15.如前述任一项权利要求所述的方法,其特征在于,所述序列仅由第一液体和最后液体构成。
16.如前述任一项权利要求所述的方法,其特征在于,所述第二表面(6)是从所述第一表面(5)突出的另一特征件(11)的侧壁。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造