[发明专利]含中间能带的半导体的制备方法及应用有效
| 申请号： | 201710671195.6 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109382091B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 孙永福;梁倞;谢毅 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | B01J23/30 | 分类号： | B01J23/30;B01J35/02;B01J37/08;B01J37/10;C01B13/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇;赵青朵 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种含中间能带的半导体的制备方法，包括以下步骤：将半导体超薄片或纳米半导体材料在还原气氛中进行煅烧，得到含中间能带的半导体。与现有技术相比，本发明通过将半导体超薄片或纳米半导体材料在还原气氛中煅烧，从而在半导体超薄片或纳米半导体材料的带隙中引入中间能带，使得电子不但能从价带激发到导带，同时电子也能从价带激发到中间能带以及从中间能带激发到导带，在这三种激发过程能隙范围内的光子都能被该材料吸收，从而太阳光谱中的红外部分也能很好的用来进行CO |
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| 搜索关键词： | 中间 能带 半导体 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种含中间能带的半导体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将半导体超薄片或纳米半导体材料在还原气氛中进行煅烧，得到含中间能带的半导体。
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