[发明专利]清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质有效
| 申请号： | 201710657423.4 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN107731656B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 山口天和;佐佐木隆史;栗林幸永 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;沈静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，抑制由清洁气体对排气管造成的损伤。清洁方法具有在处理容器内进行了在衬底上形成膜的处理之后，向处理容器内供给清洁气体而将附着于处理容器内的堆积物去除的工序，将堆积物去除的工序具有：第1工序，在该第1工序中，在将对处理容器内进行排气的排气管和处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向处理容器内供给清洁气体；和第2工序，在该第2工序中，当连接部的温度达到第1温度时，一边使清洁气体的流量从第1流量向比第1流量小的第2流量逐渐减少一边向处理容器内供给清洁气体。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 方法 半导体器件 制造 衬底 处理 装置 以及 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种清洁方法，其特征在于，具有在处理容器内进行了在衬底上形成膜的处理之后，向所述处理容器内供给清洁气体而将附着于所述处理容器内的堆积物去除的工序，将所述堆积物去除的工序具有如下工序：第1工序，在该第1工序中，在将对所述处理容器内进行排气的排气管和所述处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向所述处理容器内供给所述清洁气体；和第2工序，在该第2工序中，当所述连接部的温度达到第1温度时，一边使所述清洁气体的流量从所述第1流量向比所述第1流量小的第2流量逐渐减少一边向所述处理容器内供给所述清洁气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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