[发明专利]清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质

说明书

本发明提供清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，抑制由清洁气体对排气管造成的损伤。清洁方法具有在处理容器内进行了在衬底上形成膜的处理之后，向处理容器内供给清洁气体而将附着于处理容器内的堆积物去除的工序，将堆积物去除的工序具有：第1工序，在该第1工序中，在将对处理容器内进行排气的排气管和处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向处理容器内供给清洁气体；和第2工序，在该第2工序中，当连接部的温度达到第1温度时，一边使清洁气体的流量从第1流量向比第1流量小的第2流量逐渐减少一边向处理容器内供给清洁气体。

技术领域

本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质。

背景技术

作为半导体器件(设备)的制造工序的一个工序，有时进行成膜处理：向处理室内的衬底供给原料气体、反应气体，在衬底上形成膜。若进行成膜处理，则有时在处理室内附着堆积物。因此，在进行了成膜处理之后，有时进行向处理室内供给清洁气体来将附着于处理室内的堆积物去除的清洁(cleaning)处理。在清洁处理中，存在由于清洁气体而对排气管造成腐蚀等损伤的情况(例如，专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-170786号公报

发明内容

本发明是鉴于这样的状况完成的，其目的在于提供一种能够抑制由清洁气体对排气管造成的损伤的技术。

根据本发明的一个方案，提供一种技术，具有在处理容器内进行了在衬底上形成膜的处理之后，向所述处理容器内供给清洁气体而将附着于所述处理容器内的堆积物去除的工序，

将所述堆积物去除的工序具有以下工序：

第1工序，在该第1工序中，在将对所述处理容器内进行排气的排气管和所述处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向所述处理容器内供给所述清洁气体；和

第2工序，在该第2工序中，若所述连接部的温度达到第1温度，则一边使所述清洁气体的流量从所述第1流量向比所述第1流量小的第2流量逐渐减少一边向所述处理容器内供给所述清洁气体。

发明效果

根据本发明，能够提供一种可抑制由清洁气体对排气管造成的损伤的技术。

附图说明

图1是概略地表示在本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的一个例子的纵剖视图。

图2是说明在本发明的实施方式中适合使用的控制部的图。

图3是说明在本发明的实施方式中适合使用的清洁气体流量与排气管温度之间的关系的图。

附图标记说明

10：反应管，12：加热器，14：处理室，49：温度检测器，100：控制器。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的非限定性的例示的实施方式进行说明。在全部附图中，对同一或对应的结构标注同一或对应的附图标记，并省略重复的说明。

在本实施方式中，衬底处理装置构成为作为半导体器件(设备)的制造方法中的制造工序的一个工序而实施热处理等衬底处理工序的立式衬底处理装置(以下称为处理装置)2。如图1所示，处理装置2具备圆筒形状的反应管10和设置于反应管10的外周的作为加热单元(加热机构)的加热器12。反应管10由例如石英、SiC形成。在反应管10设置有作为温度检测器的温度检测部16。温度检测部16沿着反应管10的内壁立设。