[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710641779.9 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107785430B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 朴胜周;李正允;闵庚石;成金重;林青美;洪承秀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，在衬底上设置成在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；一对第一栅极间隔壁，在第一及第二有源鳍片阵列上设置成在第二方向上延伸，且一对第一栅极间隔壁中的每一个包括具有第一宽度的第一区、具有第二宽度的第二区、及位于第一区与第二区之间且具有第三宽度的第三区；其中一对第一栅极间隔壁的第一区位于第一有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第二区位于第二有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第三区位于第一有源鳍片阵列与第二有源鳍片阵列之间；第一宽度及第二宽度中的每一个大于第三宽度。所述半导体装置可改善生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，所述第一有源鳍片阵列及所述第二有源鳍片阵列设置于衬底上并在第一方向上延伸并且在与所述第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；一对第一栅极间隔壁，设置于所述第一有源鳍片阵列及所述第二有源鳍片阵列上并在所述第二方向上延伸，所述一对第一栅极间隔壁中的每一个包括第一区、第二区及第三区，所述第一区具有第一宽度，所述第二区具有第二宽度，且所述第三区位于所述第一区与所述第二区之间并具有第三宽度；以及相互间隔开的第一栅极电极及第二栅极电极，所述第一栅极电极设置于所述一对第一栅极间隔壁的所述第一区之间且所述第二栅极电极设置于所述一对第一栅极间隔壁的所述第二区之间，其中所述一对第一栅极间隔壁的所述第一区设置于所述第一有源鳍片阵列上，所述一对第一栅极间隔壁的所述第二区设置于所述第二有源鳍片阵列上，且所述一对第一栅极间隔壁的所述第三区设置于所述第一有源鳍片阵列与所述第二有源鳍片阵列之间，且其中所述第一宽度及所述第二宽度中的每一个大于所述第三宽度。
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