[发明专利]具有气隙间隔件的FINFET及其形成方法有效
| 申请号： | 201710622775.6 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107665864B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 臧辉;齐民华 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有气隙间隔件的FINFET及其形成方法，鳍式场效应晶体管(FinFET)包括位于相邻的金属接触件之间及/或位于金属接触件与晶体管栅极之间的气隙。该气隙在非共形沉积一隔离介电质结合一先金属工艺以形成该导电结构的期间形成。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 间隔 finfet 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体装置的方法，其特征为，该方法包括：形成一栅极结构于一半导体鳍片的一通道区域的上方，其中，一源极区域与一漏极区域位于该通道区域的相对侧上；形成介电间隔件于该栅极结构的侧壁上方以及一介电盖体于该栅极结构的一顶部上方；形成一导电层于该介电盖体的上方以及位于相邻的栅极结构的该介电间隔件之间的该源极区域与该漏极区域的上方；形成通过该导电层至该介电盖体的一顶面的一隔离孔；以及形成一介电层于该隔离孔内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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