[发明专利]半导体结构及其制造方法和高k金属栅鳍式场效应晶体管有效
| 申请号： | 201710621512.3 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109309049B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 贺鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 赵倩男 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法和高k金属栅鳍式场效应晶体管，涉及半导体制造领域。方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括用于形成第一PMOS器件的第一部分和用于形成第二PMOS器件的第二部分；在衬底结构上形成第一P型功函数调节层；在第一P型功函数调节层上形成保护层；对保护层进行图案化，使得第一部分上的第一P型功函数调节层暴露；对暴露的第一部分上的第一P型功函数调节层进行氧化处理；去除保护层；在第一P型功函数调节层上形成第二P型功函数调节层。本申请由于第一部分的第一P型功函数调节层进行了氧化处理，从而能够实现在第一部分与第二部分的金属层厚度相同的情况下，使得第一部分和第二部分的阈值电压不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 金属 栅鳍式 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括用于形成第一PMOS器件的第一部分和用于形成第二PMOS器件的第二部分；在所述衬底结构上形成第一P型功函数调节层；在第一P型功函数调节层上形成保护层；对保护层进行图案化，使得所述第一部分上的第一P型功函数调节层暴露；对暴露的所述第一部分上的第一P型功函数调节层进行氧化处理；去除保护层；在第一P型功函数调节层上形成第二P型功函数调节层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
