[发明专利]封装结构的形成方法有效
| 申请号： | 201710617231.0 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN108074822B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡易达;林政平;林威宏;林志伟;郑明达;谢静华;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供封装结构及其形成方法，封装结构的形成方法包含提供承载基板。此方法也包含形成导电层于承载基板上方。此方法还包含形成保护层于导电层上方，保护层包含多个开口暴露出导电层的多个部分。此外，此方法包含通过多个凸块将多个集成电路晶粒接合至导电层的这些部分，集成电路晶粒与保护层之间具有空间。此方法也包含以第一模塑化合物填入空间，第一模塑化合物围绕凸块和集成电路晶粒。此方法还包含形成第二模塑化合物覆盖第一模塑化合物和集成电路晶粒，保护层具有通过第二模塑化合物覆盖的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构的形成方法，包括:提供一承载基板；形成一导电层于该承载基板上方；形成一保护层于该导电层上方，其中该保护层包括多个开口暴露出该导电层的多个部分；通过多个凸块将多个集成电路晶粒接合至该导电层的所述多个部分，其中所述多个集成电路晶粒与该保护层之间具有一空间；以一第一模塑化合物填入该空间，其中该第一模塑化合物围绕所述多个凸块和所述多个集成电路晶粒；以及形成一第二模塑化合物覆盖该第一模塑化合物和所述多个集成电路晶粒，其中该保护层具有通过该第二模塑化合物覆盖的一侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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